型号:  IPB35N10S3L26ATMA1

功能描述:  MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  35 A

Rds On-漏源导通电阻:  20.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  39 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  71 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.4 mm

长度:  10 mm

系列:  XPB35N10

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.25 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18 ns

典型接通延迟时间:  6 ns

零件号别名:  IPB35N10S3L-26 IPB35N1S3L26XT SP000776044

单位重量:  4 g