IPB45N06S4L08ATMA2规格参数_IPB45N06S4L08ATMA2全国代理商/分销商

型号: IPB45N06S4L08ATMA2
功能描述: Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N06S4L08ATMA2, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 45 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 0.0137 0hms
最大栅阈值电压： 2V
最小栅阈值电压： 1.2V
最大栅源电压： -16 V、+16 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型：表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 71 W
高度： 4.4mm
尺寸： 10 x 9.25 x 4.4mm
每片芯片元件数目： 1
系列： OptiMOS T2
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 49 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3680 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 45 ns
典型接通延迟时间： 9 ns
宽度： 9.25mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 10mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs