型号: IPB50CN10N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 50 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1090pF @ 50V
功率 - 最大值： 44W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB50CN10NGATMA1SP000277696
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：陈
电话：15012997311
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15307553891
Q Q:
联系人：游倾顷
电话：18948707085
Q Q:
