型号:  IPB60R099C6ATMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R099C6ATMA1, 38 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  37.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 1.21mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  119nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2660pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  100V

功率耗散（最大值）：  278W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  99 毫欧 @ 18.1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO263-2

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  38 A

最大漏源电压：  600 V

最大漏源电阻值：  0.09 0hms

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  278 W

宽度：  4.57mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10.31mm

每片芯片元件数目：  1

高度：  9.45mm

正向二极管电压：  0.9V

最高工作温度：  +150 °C

尺寸：  10.31 x 4.57 x 9.45mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  119 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  2660 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：  75 ns

典型接通延迟时间：  15 ns

系列：  CoolMOS C6

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs