型号:  IPB60R160P6ATMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 MOSFET IPB60R160P6ATMA1, 23.8 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  23.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 750µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  44nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2080pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  176W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  160 毫欧 @ 9A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  23.8 A

最大漏源电压：  650 V

最大漏源电阻值：  160 m0hms

最大栅阈值电压：  4.5V

最小栅阈值电压：  3.5V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

安装类型：  通孔

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  176 W

典型接通延迟时间：  12.5 ns

典型关断延迟时间：  40 ns

典型输入电容值@Vds：  2080 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：  44 nC @ 10 V

系列：  CoolMOS P6

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

宽度：  4.57mm

长度：  10.31mm

高度：  9.45mm

正向二极管电压：  0.9V

尺寸：  10.31 x 4.57 x 9.45mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs