型号: IPB60R199CPZT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
标准包装名称： D2PAK
最低工作温度： -55
渠道类型： N
封装： Tape and Reel
最大漏源电阻： 199@10V
最大漏源电压： 650
每个芯片的元件数： 1
供应商封装形式： TO-263
最大功率耗散： 139000
最大连续漏极电流： 16
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
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