型号: IPB60R199CPZT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: D2PAK
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 199@10V
最大漏源电压: 650
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: TO-263
最大功率耗散: 139000
最大连续漏极电流: 16
引脚数: 3
铅形状: Gull-wing
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