型号:  IPB60R520CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  TO-263-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  6.8A

Rds On-漏源导通电阻：  520mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  66W

通道模式：  Enhancement

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

下降时间：  16ns

上升时间：  12ns

典型关闭延迟时间：  74ns

典型接通延迟时间：  17ns

RDS (on) max：  520.0mΩ

IDpuls max：  17.0A

VDS max：  600.0V

ID max：  6.8 A

RthJC max：  1.9 K/W

Package：  D2PAK (TO-263)

QG：  24.0nC

Ptot max：  66.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  2.5 V 3.5 V

Mounting：  SMT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs