型号: IPB65R065C7ATMA2
功能描述: MOSFET N-CH TO263-3
制造商: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: CoolMOS™ C7
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 65 毫欧 @ 17.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 64nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3020pF @ 400V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 171W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：林小姐
电话：18664317510
Q Q:
联系人：朱少聪
Q Q:
联系人：刘波
Q Q:
