型号: IPB65R110CFDAXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： 20
安装： Surface Mount
包装宽度： 9.45(Max)
PCB： 2
筛选等级： Automotive
最大功率耗散： 277800
最大漏源电压： 650
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 110@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -40
供应商封装形式： TO-263
标准包装名称： D2PAK
最高工作温度： 150
渠道类型： N
包装长度： 10.31(Max)
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 4.57(Max)
最大连续漏极电流： 31.2
封装： Tape and Reel
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
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