型号:  IPB65R660CFDA

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO263-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  6A

Rds On-漏源导通电阻：  594mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  20nC

最小工作温度：  -40C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  62.5W

通道模式：  Enhancement

封装：  CutTape

系列：  CoolMOS

晶体管类型：  1N-Channel

下降时间：  10ns

上升时间：  8ns

典型关闭延迟时间：  40ns

典型接通延迟时间：  9ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  660.0mΩ

IDpuls max：  17.0A

VDS max：  650.0V

ID max：  6.0A

Technology：  CoolMOS™ CFDA

RthJC max：  2.0 K/W

QG (typ @10V)：  20.0 nC

Package：  D2PAK (TO-263)

Budgetary Price €€/1k：  0.83

Ptot max：  62.5W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  3.5 V 4.5 V

Special Features：  automotive

Simulator：  TINA

Language：  PSpice

Encryption：  no

Product Category：  Power MOSFET HV CoolMOS™

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs