型号: IPB77N06S3-09
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 77A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8.8 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 55µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 103nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5335pF @ 25V
功率 - 最大值: 107W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
其它名称: IPB77N06S309XTSP000088715
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:林炜东,林俊源
联系人:连
电话:18922805453
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:毛先生
电话:13538178662
联系人:刘嘉
电话:18098935693
联系人:陈
Q Q: