型号: IPB80N04S204ATMA2
功能描述: Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin TO-263 T/R
制造商: Infineon (英飞凌)
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5300pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 3.4 毫欧 @ 80A，10V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO263-3-2 1000
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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