型号: IPB80N04S3-H4
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPx80N04S3-H4
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.5 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 65µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3900pF @ 25V
功率 - 最大值： 115W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB80N04S3H4ATMA1SP000415564
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：朱先生，杨小姐
电话：13418647129
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13823650281
Q Q:
联系人：王
电话：13267231725
Q Q:
