型号: IPB80N06S2-H5
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPB,IPP80N06S2-H5
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4400pF @ 25V
功率 - 最大值： 300W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB80N06S2H5ATMA1SP000218162
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：19849363771
Q Q:
联系人：林生
电话：13600403444
Q Q:
联系人：李
电话：15019266943
Q Q:
