型号: IPB80N06S2L07ATMA3
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列： OptiMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3160pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 210W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.7 毫欧 @ 60A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PG-TO263-3
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 55V
连续漏极电流ID： 80A
漏源电压（Vdss）： 55V
供应商器件封装： PG-TO263-3-2
无铅情况/RoHs： 否
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