型号: IPB80N06S2L07ATMA3
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 130nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3160pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 210W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 6.7 毫欧 @ 60A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PG-TO263-3
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 55V
连续漏极电流ID: 80A
漏源电压(Vdss): 55V
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
无铅情况/RoHs: 否
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