型号: IPB80N06S3L-08
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 7.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 105 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：sam
电话：13924601310
Q Q:
联系人：肖生
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：15813714218
Q Q:
