型号:  IPC100N04S52R8ATMA1

功能描述:  MOSFET MOSFET_(20V,40V)

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  45 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  75 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  N Channel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  6 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns

典型接通延迟时间:  6 ns

零件号别名:  IPC100N04S5-2R8 SP001418102