型号:  IPC218N06N3

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  --

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  60V

Id-连续漏极电流：  1mA

Rds On-漏源导通电阻：  1.7mOhms

配置：  Single

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  IPC218N06

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

Packing Type：  WAFER SAWN

Technology：  OptiMOS™ 3

Budgetary Price €€/1k：  1.51

VGS(th) min max：  2.0 V 4.0 V

Mode：  Enhancement

VDS：  60 V

RDS (on)：  1.3mΩ

Die Size (-) min max：  3.7 mm² 5.9 mm²

Die Size (Y)：  5.9 mm

Die Size (X)：  3.7 mm

Thickness：  205

Die Size (Area)：  21.83 mm²

EAS/Avalanche Energy：  500.0mJ

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs