型号:  IPD031N06L3G

功能描述:   MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  100 A

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Rds On-漏源导通电阻:  3.1 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Qg-栅极电荷:  79 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  167 W

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  DPAK-3

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single

下降时间:  13 ns

正向跨导 - 最小值:  165 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  78 ns

系列:  OptiMOS 3

工厂包装数量:  2500

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  64 ns

典型接通延迟时间:  25 ns

零件号别名:  IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GXT SP000451076