型号: IPD038N04N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 90A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4500pF @ 20V
功率 - 最大值： 94W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD038N04N G-NDIPD038N04NGBTMA1SP000391507
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：陈琪
电话：15815278706
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13590988529
Q Q:
联系人：徐
电话：18098987658
Q Q:
