型号: IPD042P03L3 G
功能描述: MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 175 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS P3
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 65 S
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 167 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: IPD042P03L3GBTMA1 IPD42P3L3GXT SP000473922
单位重量: 4 g
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:许小姐
电话:18118747668
联系人:李小姐
电话:13066809747
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:张先生
电话:13773124371
联系人:李琼琼
电话:13645939965
联系人:张靖杰
电话:15875801632
Q Q: