型号:  IPD04N03LA G

功能描述:  Infineon Technologies/分立半导体产品

制造商:  Infineon Technologies

标准包装：  2,500

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  OptiMOS??

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  50A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  3.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  41nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  5199pF @ 15V

功率 - 最大值：  115W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：  PG-TO252-3

其它名称：  IPD04N03LAIPD04N03LAGIPD04N03LAGINTRIPD04N03LAGXTIPD04N03LAGXT-NDIPD04N03LAINTRIPD04N03LAINTR-NDSP000017598