IPD05N03LA G规格参数_IPD05N03LA G全国代理商/分销商

型号: IPD05N03LA G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 3110pF @ 15V
功率 - 最大值： 94W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD05N03LAIPD05N03LAGIPD05N03LAGINTRIPD05N03LAGXTIPD05N03LAGXT-NDIPD05N03LAINTRIPD05N03LAINTR-NDSP000017599