型号: IPD068P03L3G
功能描述: MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: - 70 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 6.8 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 68 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 31 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 100 ns
系列: OptiMOS P3
工厂包装数量: 2500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 84 nS
零件号别名: IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988
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