型号: IPD06P002NSAUMA1
功能描述: MOSFET P-CH TO252-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 38 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 63nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2500pF @ 30V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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