型号: IPD06P007NATMA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 19 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 3.8 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
零件号别名: IPD06P007N
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