型号: IPD09N03LB G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 9.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1600pF @ 15V
功率 - 最大值： 58W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD09N03LBGXTSP000016412
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李京
电话：17727581162
Q Q:
联系人：丁小姐
电话：13510562077
Q Q:
联系人：李小姐
电话：18098935727
Q Q:
