型号: IPD105N03LGNT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 6.22
PCB： 2
最大功率耗散： 38000
最大漏源电压： 30
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最大漏源电阻： 10.5@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-252
标准包装名称： DPAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 6.5
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 2.3
最大连续漏极电流： 35
封装： Tape and Reel
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：刘学
电话：13728772688
Q Q:
联系人：江先生
电话：13530242692
Q Q:
联系人：丰先生
电话：13590321311
Q Q:
