型号: IPD135N08N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 80V 45A DPAK-2 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 45 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 13.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 35 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 2500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPD135N08N3GBTMA1 IPD135N08N3GXT SP000454266
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘金政，
电话：13811057772
Q Q:
联系人：何经理
电话：13798248878
Q Q:
联系人：启动宇宙
电话：15357025998
Q Q:
