型号: IPD15N06S2L64ATMA1
功能描述: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 64 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 13nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 354pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 47W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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