型号:  IPD200N15N3 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  150V

Id-连续漏极电流：  50A

Rds On-漏源导通电阻：  16mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  31nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  150W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

正向跨导 - 最小值：  29S

下降时间：  6ns

上升时间：  11ns

典型关闭延迟时间：  23ns

典型接通延迟时间：  14ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  20.0mΩ

IDpuls max：  200.0A

VDS max：  150.0V

ID max：  50.0A

QG (typ @10V)：  23.0 nC

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  1.0K/W

Operating Temperature min max：  -55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：  0.85

Ptot max：  150.0W

Polarity：  N

Coss：  214.0 pF

Ciss：  1820.0pF

VGS(th) min max：  2.0V 4.0V

VGS(th) (typ) min max：  3.0 V 2.0 V 4.0 V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs