型号: IPD25CNE8NGXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 6.22
PCB： 2
最大功率耗散： 71000
最大漏源电压： 85
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 25@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-252
标准包装名称： DPAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 6.5
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 2.3
最大连续漏极电流： 35
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：胡培义
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：郭海英
电话：13798387995
Q Q:
