型号: IPD25N06S4L30ATMA2
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列： 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
湿气敏感性等级（MSL）： 1（无限）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 16.3nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1220pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 29W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 25A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PG-TO252-3
在线目录： N-Channel MOSFET (Metal Oxide)
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 8µA
供应商器件封装： PG-TO252-3-11
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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