型号: IPD40DP06NM
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 166uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.3A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 166uA
漏源导通电阻: 400mΩ @ 4.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 19W(Tc)
类型: P沟道
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