型号:  IPD50N06S4L12ATMA2

功能描述:  MOSFET MOSFET

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  50 A

Rds On-漏源导通电阻:  7.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  49 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  50 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

系列:  IPD50N06

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns

典型接通延迟时间:  6 ns

零件号别名:  IPD50N06S4L-12 IPD5N6S4L12XT SP001028640

单位重量:  4 g