型号: IPD50R800CEBTMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.4nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 280pF @ 100V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 800 毫欧 @ 1.5A,13V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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