型号: IPD600N25N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPD600N25N3 G
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 25A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2350pF @ 100V
功率 - 最大值： 136W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD600N25N3 G-NDIPD600N25N3 GTRIPD600N25N3GIPD600N25N3GBTMA1SP000676404
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