型号: IPD600N25N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: IPD600N25N3 G
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2350pF @ 100V
功率 - 最大值: 136W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
其它名称: IPD600N25N3 G-NDIPD600N25N3 GTRIPD600N25N3GIPD600N25N3GBTMA1SP000676404
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