型号: IPD60R210CFD7ATMA1
功能描述: MOSFET LOW POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 64 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 75 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: IPD60R210CFD7 SP001715662
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:王
电话:15914054985
联系人:张琳琳
电话:82730582
Q Q:
联系人:陈先生
电话:13590279456