型号: IPD60R360PFD7S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 140uA
漏源导通电阻: 360mΩ @ 2.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 43W(Tc)
类型: N沟道
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈
Q Q:
联系人：曹泷
电话：18127050390
Q Q:
联系人：陈锦海
电话：15989416012
Q Q:
