型号: IPD60R360PFD7S
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 140uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 140uA
漏源导通电阻: 360mΩ @ 2.9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 43W(Tc)
类型: N沟道
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：王淑丽
电话：029-88256270
Q Q:
联系人：李文雄
电话：13590239407
Q Q:
联系人：李
Q Q:
