型号:  IPD60R3K3C6

功能描述:  Infineon Technologies/分立半导体产品

制造商:  Infineon Technologies

数据列表：  IPD60R3K3C6

产品培训模块：  CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装：  2,500

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  CoolMOS??

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  1.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  3.3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 40µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  4.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  93pF @ 100V

功率 - 最大值：  18.1W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：  PG-TO252-3

其它名称：  IPD60R3K3C6BTMA1IPD60R3K3C6TRSP000799130