型号:  IPD60R600E6BTMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R600E6BTMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  7.3 A

最大漏源电压：  650 V

最大漏源电阻值：  600 m0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

安装类型：  表面贴装

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  63 W

长度：  6.73mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  6.73 x 6.22 x 2.41mm

系列：  CoolMOS E6

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  20.5 nC

典型输入电容值@Vds：  440 pF@ 100 V

典型关断延迟时间：  58 ns

典型接通延迟时间：  10 ns

宽度：  6.22mm

最低工作温度：  -55 °C

高度：  2.41mm

最高工作温度：  +150 °C

封装/外壳：  PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs