型号:  IPD60R750E6

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  5.7A

Rds On-漏源导通电阻：  680mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  17.2nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  48W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

系列：  CoolMOSE6

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

上升时间：  7ns

典型关闭延迟时间：  50ns

典型接通延迟时间：  9ns

Packing Type：  TAPE & REEL

RDS (on) max：  750.0mΩ

IDpuls max：  15.7A

VDS max：  600.0V

ID max：  5.7A

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  2.6K/W

QG：  17.2nC

Budgetary Price €€/1k：  0.39

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  48.0W

Polarity：  N

Pin Count：  3.0Pins

RthJA max：  62.0K/W

Mounting：  SMT

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs