型号: IPD65R1K4CFDBTMA1
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPD65R1K4CFD
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： CoolMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 262pF @ 100V
功率 - 最大值： 28.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252
其它名称： IPD65R1K4CFDBTMA1TR
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