型号: IPD65R950CFDBTMA1
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPD65R950CFD
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： CoolMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.9A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 950 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 14.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 380pF @ 100V
功率 - 最大值： 36.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252
其它名称： IPD65R950CFDBTMA1TR
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：张巧云
电话：13534237128
Q Q:
联系人：刘R
电话：13534218005
Q Q:
联系人：吴丽
电话：13686289316
Q Q:
