型号: IPD90N06S3L-07
功能描述: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 90A 7.1mOhms
制造商: Infineon Technologies
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 55 V
闸/源击穿电压： +/- 16 V
漏极连续电流： 90 A
导通电阻： 7.4 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 44 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 107 W
上升时间： 42 ns
工厂包装数量： 2500
典型关闭延迟时间： 43 ns
零件号别名： IPD90N06S3L07XT
ROHS： 无铅
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈小姐
Q Q:
联系人：吴先生，刘先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：廖生
Q Q:
