型号: IPD90R1K2C3BTMA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
系列： CoolMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5.1A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 310µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 28nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 710pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 83W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PG-TO252-3
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 900V
连续漏极电流ID： 5.1A
漏源电压（Vdss）： 900V
供应商器件封装： PG-TO252-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 100V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
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