型号: IPDD60R125G7XTMA1
功能描述: MOSFET HIGH POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-HDSOP-10
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 120 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 1700
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPDD60R125G7 SP001632876
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：吴
电话：13528813977
Q Q:
联系人：汪小姐
Q Q:
联系人：彭先生
电话：17097219357
Q Q:
