型号:  IPG16N10S4L61AATMA1

功能描述:  MOSFET N-CHANNEL_100+

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  16 A

Rds On-漏源导通电阻:  78 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  16 V

Qg-栅极电荷:  11 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  29 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5 ns

典型接通延迟时间:  2 ns

零件号别名:  IPG16N10S4L-61A SP001102932