型号:  IPG20N06S2L35ATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L35ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  35 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 27µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  790pF @ 25V

功率 - 最大值：  65W

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TDSON-8

供应商器件封装：  PG-TDSON-8-4

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  20 A

最大漏源电压：  55 V

最大漏源电阻值：  44 m0hms

最大栅阈值电压：  2.2V

最小栅阈值电压：  1.2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TDSON

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  65 W

典型接通延迟时间：  3 ns

典型关断延迟时间：  25 ns

典型输入电容值@Vds：  610 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs：  18 nC @ 10 V

晶体管材料：  Si

最高工作温度：  +175 °C

高度：  1mm

系列：  OptiMOS

宽度：  5.9mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  5.15mm

尺寸：  5.15 x 5.9 x 1mm

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs