型号: IPG20N06S4L11ATMA2
功能描述: MOSFET_)40V 60V)
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101，OptiMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 11.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 28µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4020pF @ 25V
功率 - 最大值: 65W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：温景霖
电话：18027769667
Q Q:
联系人：朱先生李女士
电话：13424159278
Q Q:
